S. J. Pearton, W. S. Hobson, A. E. Von Neida, N. M. Haegel, K. S. Jones, N. Morris, and B.J. Sealy, “Implant activation and redistribution in Al_xGa_1-xAs,” J. Appl. Phys. 67, 2396 (1990).

S. J. Pearton, W. S. Hobson, F. A. Baiocchi, B. Emerson, and K. S. Jones, “Reactive ion etching of InP, InGaAs, InAlAs: comparison of C₂H₆/H₂ with CCl₂F₂/O₂,” J. Vac. Sci. Technol. B 8, 57 (1990).

S. Prussin and K. S. Jones, “Role of ion mass, implant dose, and wafer temperature on end-of-range defects,” J. Electrochem. Soc. 137, 1912 (1990).

S. J. Pearton, W. S. Hobson, F. A. Baiocchi, and K. S. Jones, “Reactive ion etching of InAs, InSb, and GaSb in CCl₂F₂/O₂ and C₂H₆/H₂,” J. Electrochem. Soc. 137, 1924 (1990).

S. J. Pearton, B. Jalali, J. M. Poate, J. D. Fox, K. W. Kemper, C. W. Magee, and K. S. Jones, “High-energy (56 MeV) oxygen implantation in Si, GaAs, and InP,” Appl. Phys. Lett. 57, 2253 (1990).

S. J. Pearton, U. K. Chakrabarti, A. P. Perley, and K. S. Jones, “Ion milling damage in InP and GaAs,” J. Appl. Phys. 68, 2760 (1990).