S. J. Pearton, W. S. Hobson, U. K. Chakrabarti, A. B. Emerson, E. Lane, and K.S. Jones, “Aluminum composition dependence of reactive ion etching on AlGaAs with CCl₂F₂:O₂,” J. Appl. Phys. 66, 2137 (1989).

S. J. Pearton, M. J. Vasiles, K. S. Jones, K. T. Short, E. O. Lane, T. R. Fullowan, A. E. Von Neida, and N. M. Haegel, “Reactive ion etching of GaAs with CCl₂F₂:O₂ – etch rates, surface chemistry and residual damage,” J. Appl. Phys. 65, 1281 (1989).

S. J. Pearton, K. T. Short, K. S. Jones, A. G. Baca, and C. S. Wu, “Ion beam induced intermixing of WSi_0.45 and GaAs,” Mater. Sci. Eng. B 3, 273 (1989).

S. J. Pearton, W. S. Hobson, and K. S. Jones, “Etch rates and surface chemistry of GaAs and AlGaAs reactively ion etched in C₂H₆/H₂,” J. Appl. Phys. 66, 5009 (1989).

S. J. Pearton, A. B. Emerson, U. K. Chakrabarti, E. Lane, K. S. Jones, K. T. Short, A. E. White, and T. R. Fullowan, “Temperature dependence of RIE of GaAs with CCl₂F₂:O₂,” J. Appl. Phys. 66, 3839 (1989).