S. Jin, K. S. Jones, P. A. Ronsheim, and M. Hatzistergos, “Pulsed-laser atom probe tomography of p-type field effect transistors on Si-on-insulator substrates,” J. Vac. Sci. Technol. B 29, 061203 (2011).

B. R. Yates, B. L. Darby, N. G. Rudawski, K. S. Jones, D. H. Petersen, O. Hansen, R. Lin, P. F. Nielsen, and A. Kontos, “Anomalous activation of shallow B⁺ implants in Ge,” Mater. Lett. 65, 3540 (2011).

S. Morarka, S. Jin, N. G. Rudawski, K. S. Jones, M. E. Law, and R. G. Elliman, “Interface stability in stressed solid-phase epitaxial growth,” J. Vac. Sci. Technol. B 29, 041210 (2011).

B. L. Darby, B. R. Yates, N. G. Rudawski, K. S. Jones, A. Kontos, and R. G. Elliman, “Insights for void formation in ion-implanted Ge,” Thin Solid Films 519, 5962 (2011).

E. A. Douglas, C. Y. Chang, D. J. Cheney, B. P. Gila, C. F. Lo, L.Lu, R. Holzworth, P. Whiting, K. S. Jones, G. D. Via, J. Kim, S. Jang, F. Ren, and S. J. Pearton, “AlGaN/GaN high electron mobility transistor degradation under on- and off-state stress,” Microelectron. Reliab. 51, 207 (2011).

M. R. Holzworth, N. G. Rudawski, S. J. Pearton, K. S. Jones, L. Lu, T. S. Kang, F. Ren, and J. W. Johnson, “Characterization of the gate oxide of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor,” Appl. Phys. Lett. 98, 122103 (2011).

B. L. Darby, B. R. Yates, N. G. Rudawski, K. S. Jones, and A. Kontos, “Self-implantation energy and dose effects on Ge solid-phase epitaxial growth,” Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 269, 20 (2011).